關(guān)于高溫閃燒試驗(yàn)儀中“閃燒”的簡單介紹

　　高溫閃燒試驗(yàn)儀主要由高溫爐、直流高壓電源、電壓、電流表這幾個(gè)部分組成。

　　閃燒是在2010年提出的一種新的燒結(jié)理念。將氧化鋯陶瓷坯體通過兩根鉑絲懸吊在立式管式爐的熱區(qū)處，鉑絲將樣品與電源連成回路。通過在850℃的爐內(nèi)溫度下對(duì)樣品兩端加大于40V/cm的電場，使樣品因焦耳熱效應(yīng)迅速升溫，同時(shí)發(fā)出亮光形成“flash”過程，在幾秒鐘之內(nèi)完成致密化。簡單的講閃燒指的是生坯在一定溫度和臨界電場下實(shí)現(xiàn)生坯的低溫極速致密化，過程一般是幾秒鐘。相比于其他燒結(jié)方法而言，閃燒具有燒結(jié)時(shí)間短、溫度低的優(yōu)勢。

　　高溫閃燒試驗(yàn)儀的閃燒有兩個(gè)特征現(xiàn)象：快速致密化和電導(dǎo)急速增加。與其它方法相比，閃燒能縮短燒結(jié)時(shí)間，并降低燒結(jié)所需溫度，還能抑制晶粒生長，實(shí)現(xiàn)非平衡燒結(jié)。成本較低，設(shè)備簡單，方便使用。

　　容易影響高溫閃燒試驗(yàn)儀閃燒的因素主要有以下幾個(gè)：

　　1.電場強(qiáng)度，表示單位長度施加的電壓大小，容易影響閃燒的孕育時(shí)間和起始溫度，隨著電場強(qiáng)度的增大，孕育時(shí)間縮短，起始溫度降低；

　　2.保溫時(shí)間影響試樣的致密度和晶粒尺寸，隨著保溫時(shí)間的延長，試樣的致密度增加，晶粒尺寸會(huì)變大；

　　3.爐溫影響閃燒的孕育時(shí)間，隨著爐溫的升高，孕育會(huì)時(shí)間縮短。