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2021-03-22
工程中有許多機(jī)件是在多次沖擊載荷下工作的。典型的例子如鑿巖機(jī)活塞、釬尾、釬桿、鍛錘桿、鍛模等。雖然多次沖擊的研究迄今已有七十多年的歷史，但和其它類(lèi)型的疲勞研究相比，工作做得并不算多。這是因?yàn)殚L(zhǎng)期以來(lái)人們對(duì)它的作用和地位存在著不同的看法。這方面的研究工作開(kāi)始于1959年，迄今也存在不同看法。由于多次沖擊不同于一次沖擊，兩者本質(zhì)不同，因此不能用一次沖擊吸收功的高低來(lái)作為評(píng)定經(jīng)受多次沖擊載荷零件的選材依據(jù)，這種看法比較容易為人們接受。而多次沖擊與疲勞的異同，則是人們關(guān)心的所在，因?yàn)?..2021-03-22
“沖擊韌度”這一術(shù)語(yǔ)這里容易引起雙重誤解。一個(gè)是以為沖擊韌度就是前面所述的單位面積沖擊功，顯然這是誤解。即使按照應(yīng)變能密度概念，用AK除b2B（b和B分別代表缺口小截面的長(zhǎng)度和寬度）來(lái)表示，也不具有完整的沖擊韌度的性質(zhì)。因?yàn)樵嚇訑嗔阉牡哪芰坎⒉皇茄厝笨谛〗孛婢鶆虻叵模菫槿笨诟浇w積所吸收，并且在此體積內(nèi)，各點(diǎn)所吸收的能量也不是一樣的。因此“沖擊韌度”Ak不能代表材料抵抗沖擊載荷的能力，而是代表指ding溫度下，材料在缺口和沖擊加載速度共同作用下的脆化趨勢(shì)及其程度，或...2021-03-19
高溫鐵電測(cè)試儀可以測(cè)量鐵電材料的電滯回線(xiàn)，飽和極化Ps、剩余極化Pr、矯頑場(chǎng)Ec、漏電流、疲勞、保持、I-V和開(kāi)關(guān)特性等性能的測(cè)試，能夠較測(cè)量鐵電薄膜的鐵電性能。目前該系統(tǒng)測(cè)量溫度800°C,可配置薄膜和塊體測(cè)量夾具，可廣泛應(yīng)用于薄膜、厚膜和塊狀陶瓷、鐵電器件及存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。高溫鐵電測(cè)試儀測(cè)試系統(tǒng)采用虛地模式測(cè)量電路，與傳統(tǒng)的Sawyer-Tower模式相比，此電路取消了外接電容，可減小寄生元件的影響。此電路的測(cè)試精度僅取決于積分器積分電容的精度，減少了對(duì)測(cè)試的影響環(huán)節(jié)...2021-03-19
鐵電老化現(xiàn)象鐵電老化現(xiàn)象又稱(chēng)為時(shí)效現(xiàn)象，鐵電材料發(fā)生老化現(xiàn)象主要表現(xiàn)在兩方面。首先是老化現(xiàn)象對(duì)鐵電性的影響：材料在電場(chǎng)作用下由剛開(kāi)始時(shí)的單電滯回線(xiàn)變成雙電滯回線(xiàn)。如圖1.4所示，紅色線(xiàn)段的為材料剛做好，處在新鮮的鐵電態(tài)時(shí)在電場(chǎng)作用下表現(xiàn)出的單電滯回線(xiàn)，藍(lán)色線(xiàn)段則是材料放置一段時(shí)間后發(fā)生時(shí)效現(xiàn)象，在電場(chǎng)下表現(xiàn)出的雙電滯回線(xiàn)。當(dāng)外加電場(chǎng)為零時(shí)，單電滯回線(xiàn)中材料的極化強(qiáng)度不是零，但是雙電滯回線(xiàn)中材料的極化強(qiáng)度變成零。由1.1對(duì)鐵電性的了解我們知道此時(shí)鐵電材料不再可以表達(dá)二進(jìn)制，因此...2021-03-18
鐵電存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)鐵電存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元主要有兩部分構(gòu)成，分別是場(chǎng)效應(yīng)管和電容。初研發(fā)出來(lái)的鐵電存儲(chǔ)器稱(chēng)為“雙管雙容”，它的每個(gè)存儲(chǔ)單元有兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管和兩個(gè)電容，每個(gè)存儲(chǔ)單元都包含數(shù)據(jù)位和各自的參考位。后來(lái)美國(guó)鐵電公司設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)了更“單管單容”存儲(chǔ)單元。單管單容的鐵電存儲(chǔ)器并不是對(duì)于每一數(shù)據(jù)位使用各自的參考位，而是數(shù)據(jù)位都使用同一個(gè)參考位。所以單管單容的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的容量更大，而且生產(chǎn)成本也變的更低。但這里所說(shuō)的電容不是我們常見(jiàn)的那種電容，在這種電容的兩個(gè)電極板中間沉淀了一...2021-03-18
鐵電存儲(chǔ)技術(shù)是在1921年早被科學(xué)家提出，一直到1993年，美國(guó)Ramtron公司才成功開(kāi)發(fā)出第yi個(gè)容量只有4Kb的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品。發(fā)展到了現(xiàn)在，如今市面上幾乎的鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品都是由美國(guó)鐵電公司制造或*制造。鐵電存儲(chǔ)器在不需要電壓的情況下就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而且也不需要像DRAM那樣周期性的刷新。那么鐵電存儲(chǔ)器是如何來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的呢？這是利用了鐵電晶體的鐵電效應(yīng)。什么是鐵電效應(yīng)?鐵電效應(yīng)是指，將一定的電場(chǎng)強(qiáng)度施加在鐵電晶體上時(shí)，晶體中心原子在電場(chǎng)力的作用下產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)，并且達(dá)到一...2021-03-17
存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器從一開(kāi)始發(fā)展就受到了人們很多的關(guān)注。其一，它的集成度和集成電路的工藝技術(shù)都代表著當(dāng)代的*高水平；其二，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的產(chǎn)量是*大的，并且使用面在整個(gè)集成電路家族中也是*廣。數(shù)字存儲(chǔ)器發(fā)展到了今天，已經(jīng)有了很多不同的種類(lèi)，其中占主導(dǎo)地位的是DRAM（dynamicrandomaccessmemories)，而人們視線(xiàn)*集中的就是近幾年有著快速發(fā)展的FRAM。隨著各種新的技術(shù)在電子信息技術(shù)領(lǐng)域的迅速發(fā)展，人們對(duì)高性能的存儲(chǔ)器的需求也隨之變大。一種的存儲(chǔ)器成為這個(gè)領(lǐng)域*具...
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